三星5nm,台积电6nm,下一代EUV技术将于2020年正式

日期:2019-05-15 14:17 人气:
7纳米EUV工艺的竞争仍在充分发展。三星于4月16日宣布5纳米FinFET工艺的开发已经完成,台积电已宣布推出6纳米工艺(N6)。
三星的5nm EUV流程将于2020年在Hwase启动。三星电子宣布完成5nm FinFET工艺开发并开始向客户提供样品。
与7纳米相比,5纳米FinFET工艺技术将电池面积效率提高了25%,能耗提高了20%,性能提高了10%,从而实现了电池架构。最具创新性的标准
5 nm采用EUV光刻技术制作金属层图案,缩小掩模层,同时提供更高的保真度。
5 nm的另一个重要优势是所有7 nm IP都可以在5 nm工艺中重复使用。这使客户能够使用经过验证的设计生态系统降低迁移成本并缩短产品开发时间。5纳米。
三星Foundry与合作伙伴三星高级铸造生态系统(SAFE)密切合作,为三星的5纳米工艺提供强大的设计基础设施,包括2018年第四季度的设计套件。或过程设计(PDK)和设计方法(DM)。电子设计自动化工具(EDA)和IP。
此外,三星Foundry已开始为客户提供5纳米多工程晶圆(MPW)服务。
2018年10月,三星宣布准备并初步生产7nm工艺。这是EUV光刻中的第一个工艺节点。
三星提供了业界首个基于EUV的商业样品,并于今年早些时候开始批量生产7纳米工艺。
此外,三星正在与6nm客户端(基于EUV的定制工艺节点)合作,以获得第一个6nm芯片。
目前,基于EUV的工艺技术是在韩国华城的S3生产线上生产的。
三星还将在华城开设新的EUV生产线,以扩大其EUV产能。该生产线将于2019年下半年完成,预计产量将从明年开始增加。
台积电6nm将在2020年第一季度原型启动6nm(N6)工艺。这一过程是对N7技术的重大改进,为客户提供了成本和设计方面的竞争性能。或完全过渡以便从N7快速应用到市场。
TS6 N6工艺的逻辑区域比N7工艺高18%。
同时,其设计规则与台积电成熟的N7技术完全兼容,使基本设计生态系统得以重复使用。
因此,它为客户提供无缝过渡和快速设计周期,以提供新技术产品的产品优势。
台积电计划在2020年第一季度开始进行原型设计。台积电的N6技术为客户提供更大的经济效益,同时向市场提供7nm系列的关键功率和性能。高端到中端网络,包括人工智能,5G基础设施,GPU,高性能计算。
台积电业务发展副总裁张凯文博士说:“台积电N6技术扩展了现有的N7技术,提供了具有更高性能和成本优势的产品。”Nm使我们的客户能够利用他们目前的成熟度我们很快就会拥有一个能够捕捉新产品高产值的生态系统。
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